国产一区二区久久,日韩三级一区,国产欧美成aⅴ人高清,免费少妇a级毛片人成网

InGaAs點(diǎn)元探測器LD-GAP500 三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范圍。通過改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測器的響應(yīng)度在終用戶所要求的波長條件下達(dá)到大值，從而提高信噪比。

InGaAs點(diǎn)元探測器三元體系InAs/GaAs 的帶隙涵蓋從InAs 的0.35eV （3.5μm） 到GaAs 的l. 43eV（0.87μm） 的范圍。通過改變InGaAs 吸收層的合成成分，可以使光電探測器的響應(yīng)度在終用戶所要求的波長條件下達(dá)到大值，從而提高信噪比。