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光侵入式熱電制冷探測(cè)器特點(diǎn) 在2-12μm范圍具有良好的性能;無(wú)須LN(液氮)制冷;快速響應(yīng);無(wú)閃動(dòng)噪聲;使用方便;動(dòng)態(tài)范圍寬;小巧,耐用可靠;低成本;及時(shí)交貨;可按客戶要求設(shè)計(jì)。
查看詳細(xì)介紹光平直入浸式光電磁特點(diǎn): 室溫下工作;無(wú)需偏置;光譜范圍大(2-12µm);D*(10.6 µm)達(dá)到2*107cmHz1/2/W;響應(yīng)時(shí)間≤1ns;無(wú)閃動(dòng)噪聲;從直流到高頻工作;重量輕,耐用可靠;低成本;可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
查看詳細(xì)介紹1)特點(diǎn) 室溫下工作;D*(10.6 µm)達(dá)到6*107cmHz1/2/W;響應(yīng)時(shí)間≤1ns;與快速邏輯元器件*兼容;使用方便;低成本;及時(shí)交貨;可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
查看詳細(xì)介紹倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器特點(diǎn) 室溫下工作;無(wú)需偏置;響應(yīng)時(shí)間短;無(wú)閃動(dòng)噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動(dòng)態(tài)范圍寬;大面積裝置;低成本;可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
查看詳細(xì)介紹倍增結(jié)構(gòu)室溫型HgCdTe探測(cè)器特點(diǎn) 室溫下工作;無(wú)需偏置;響應(yīng)時(shí)間短;無(wú)閃動(dòng)噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動(dòng)態(tài)范圍寬;低成本;可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
查看詳細(xì)介紹光侵入式室溫型HgCdTe探測(cè)器 室溫下工作;無(wú)需偏置;響應(yīng)時(shí)間短;無(wú)閃動(dòng)噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動(dòng)態(tài)范圍寬;低成本;可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。
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